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J-GLOBAL ID:200903042076180598

半導体放射線検出器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 多田 公子 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999039480
Publication number (International publication number):2000241555
Application date: Feb. 18, 1999
Publication date: Sep. 08, 2000
Summary:
【要約】【課題】高いエネルギー分解能と検出感度を有し、放射線のエネルギースペクトル解析やガンマカメラなどの画像検出器に好適な半導体放射線検出器を提供する。【解決手段】比較的高いエネルギー分解能を発揮することのできる半導体放射線検出器の単位1000-1、1000-2を、陰極103どうし或いは電荷収集電極104どうしが重なるように複数に積層するとともに、各検出器単位の陰極103と電荷収集電極104を電気的に並列接続する。積層数分厚さが増大することにより検出感度を高めることができ、しかも厚さ増加によるエネルギー分解能低下を最小限に抑えることができる。この半導体放射線検出器は、単独の検出器にも単独の検出器を2次元配列した2次元検出器にも適用できる。
Claim (excerpt):
放射線の照射により電荷を生成する半導体結晶と、結晶の第1の面に設けられた陰極と、前記結晶の第2の面に設けられた電荷収集電極と、これら陰極及び電荷収集極の間にバイアス電圧を印加する手段とを備えた半導体放射線検出器単位を複数積層し、各陰極及び電荷収集電極をそれぞれ電気的に並列接続したことを特徴とする半導体放射線検出器。
F-Term (11):
2G088FF02 ,  2G088FF03 ,  2G088FF04 ,  2G088FF15 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ01 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ32 ,  2G088JJ33 ,  2G088JJ37
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
  • 半導体射線検出器
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-010378   Applicant:日立化成工業株式会社
  • 特開昭63-182870
  • 特開昭60-135883
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