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J-GLOBAL ID：200903042091874873

光化学気相堆積装置及び方法

Inventor：
川添 忠

About 川添 忠

, 
大津 元一

About 大津 元一


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団


Agent (3)： 小池 晃 ,  田村 榮一 ,  伊賀 誠司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002273539
Publication number (International publication number)：2004107744
Application date： Sep. 19, 2002
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：
【課題】光源から供給する光の波長条件を緩和させた近接場光CVDを実現する。【解決手段】近接場光を照射することにより基板付近に存在するガスを分解させて当該基板上へ堆積させる光化学気相堆積装置において、ガスの解離エネルギーに相当する光の波長以上である光を光ファイバを先鋭化させた先鋭部を介して出力して近接場光を発生させ、多段階遷移過程を経て解離させて得た分解生成物を基板上に堆積させる。これにより、光源から供給する光の波長条件を緩和させることが可能となる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
近接場光を照射することにより基板付近に存在するガスを分解させて当該基板上へ堆積させる光化学気相堆積装置において、 光源と、 光ファイバを先鋭化させた先鋭部が設けられ、上記光源から供給される光を上記先鋭部を介して出力して上記近接場光を発生させる近接場光プローブとを備え、 上記光源から供給される光の波長は、上記ガスの解離エネルギーに相当する光の波長以上であること を特徴とする光化学気相堆積装置。
IPC (2)：
C23C16/48 ,  H01L21/205
FI (2)：
C23C16/48 ,  H01L21/205
F-Term (6)：
4K030BA21 ,  4K030FA06 ,  4K030JA19 ,  4K030JA20 ,  5F045AA11 ,  5F045DA56
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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