半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995176036
Publication number (International publication number)：1996097216
Application date： Jul. 12, 1995
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【課題】多層単結晶配線の形成方法を提供すること。【解決手段】シリコン基板1上に多結晶の下層Al配線6を形成する工程と、全面に下層Al配線6を被覆する層間絶縁膜7を形成する工程と、層間絶縁膜7に下層Al配線6に達する接続孔8contを形成する工程と、層間絶縁膜7の表面に多結晶の上層Al配線9を形成する工程と、全面に上層Al配線9を被覆する層間絶縁膜10を形成する工程と、下層Al配線6、上層Al配線9が多結晶状態から非晶質状態に遷移するようにシリコン基板1を加熱した後、下層Al配線6、上層Al配線9が過冷却状態になるようにシリコン基体1を冷却することにより、接続孔8contにおいて接続する単結晶の下層Al配線6、上層Al配線9を形成する工程とを有することを特徴する。

Claim (excerpt)：

基体表面に結晶状態の材料からなる第1の配線を形成する工程と、前記第1の配線上にこの第1の配線を被覆する第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜に前記第1の配線に達する接続孔を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に多結晶状態の材料からなる導電膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に前記導電膜を加工して第2の配線を形成する工程と、前記第2の配線上にこの第2の配線を被覆する第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の配線の表面が露出するまで前記第2の絶縁膜の表面を後退させる工程と、前記第1および前記第2の絶縁膜をエッチングして、前記第2の配線と重ならないように前記第1の配線に達する開孔部を形成する工程と、前記第1の配線の材料が結晶状態から非晶質状態に、および前記第2の配線の材料が多結晶状態から非晶質状態に遷移するように前記基体の温度を昇温した後、前記材料が過冷却状態になるように前記基体の温度を降温することにより、前記第1および前記第2の配線を、前記接続孔において互いに接続され、かつ前記開孔部において互いに非接続となる単結晶状態の材料からなる第1および第2の配線に変える工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301 , H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/88 N , H01L 21/90 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-356943
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-319551 Applicant：日本電気株式会社
半導体集積回路用配線およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-182832 Applicant：日本電信電話株式会社

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