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J-GLOBAL ID：200903042140397750

薄膜形成方法

Inventor：
コ ウォン ヨン

About コ ウォン ヨン

, 
イ チュン ス

About イ チュン ス


Applicant, Patent owner：
ジニテック インク.

About ジニテック インク.


Agent (1)： 高田 武志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005096527
Publication number (International publication number)：2005229129
Application date： Mar. 29, 2005
Publication date： Aug. 25, 2005
Summary：
【課題】 原料供給サイクルに同期させたプラズマを用いる時分割的な原料供給CVD法により半導体またはフラット表示素子の基板上に優れた特性を有する金属酸化物、金属窒化物及び金属の薄膜を形成する方法を提供すること。【解決手段】 プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、反応器内に酸素ガスを供給する段階と、反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、 前記反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、 前記反応器内に酸素ガスを供給する段階と、 前記反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。
IPC (5)：
H01L21/316 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  H01L21/285
FI (5)：
H01L21/316 X ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  H01L21/285 C
F-Term (40)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104FF18 ,  5F058BA11 ,  5F058BF02 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF36 ,  5F058BF73 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (4)
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