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J-GLOBAL ID：200903042160907010

相変化記憶素子およびその形成方法

Inventor： 鄭 元 哲 ,  金 亨 俊 ,  朴 哉 ▲げん▼ ,  鄭 椙 旭
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (5)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004310548
Publication number (International publication number)：2005159325
Application date： Oct. 26, 2004
Publication date： Jun. 16, 2005
Summary：

【課題】相変化記憶素子およびその形成方法を提供する。【解決手段】この素子は電極ホール112を有する加熱電極106を有する。電極ホール112は加熱電極106の所定の領域を貫通する。相変化物質パターン116aが電極ホール112の内側壁と接触する。相変化物質パターン116aと加熱電極106の接触面は電極ホール112の内側壁面である。これによって、加熱電極106と相変化物質パターン116aの接触面積を減少させて相変化記憶素子の消費電力を減少させることができる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

基板上に配置され、それの所定の領域を貫通する電極ホールを有する加熱電極と、 前記電極ホールの内側壁と接触する相変化物質パターンとを含むことを特徴とする相変化記憶素子。

IPC (2)：

H01L27/10 ,  H01L45/00

FI (2)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A

F-Term (12)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR06 ,  5F083PR10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許第5,933,365号
  

Cited by examiner (2)

• 相変化材料の電子メモリ構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-118298   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 半導体装置及び半導体メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-314756   Applicant：ソニー株式会社