半導体装置及び半導体メモリ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：角田芳末 , 磯山弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002314756
Publication number (International publication number)：2004152893
Application date： Oct. 29, 2002
Publication date： May. 27, 2004
Summary：

【課題】積層される機能素子の一括形成を可能にし、工程数の削減、熱履歴の均一化等を図る。【解決手段】互いに絶縁膜を挟んで積層された複数層の第1電極54〔541 〜544 〕と、複数層の各第1電極54に対向して形成された1つの共通の第2電極58とを有し、複数層の各第1電極54と共通の第2電極58との間に機能素子60、61が形成されて成る。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

互いに絶縁膜を挟んで積層された複数層の第1電極と、前記複数層の各第1電極に対向して形成された1つの共通の第2電極とを有し、前記複数層の各第1電極と前記共通の第2電極との間に機能素子が形成されて成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L27/105 , G11C11/22 , G11C17/00 , G11C17/12 , H01L21/8246 , H01L27/10 , H01L27/112

FI (7)：

H01L27/10 444Z , G11C11/22 501A , G11C17/00 Z , H01L27/10 431 , H01L27/10 433 , H01L27/10 447 , G11C17/00 304A

F-Term (18)：

5B003AA05 , 5B003AA06 , 5B003AA07 , 5B003AB01 , 5B003AB03 , 5B003AB06 , 5B003AC01 , 5F083CR04 , 5F083CR14 , 5F083FR01 , 5F083FZ10 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA35 , 5F083JA38 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083PR37

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体記憶装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-018623 Applicant：株式会社日立製作所
自動整合プログラミングおよび消去領域を備えたNROMセル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-306999 Applicant：サイファン・セミコンダクターズ・リミテッド
不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み消去方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-357914 Applicant：ソニー株式会社

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