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J-GLOBAL ID：200903042194095201

半導体装置における配線の形成方法

Inventor：
辰巳 哲也

About 辰巳 哲也


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996241363
Publication number (International publication number)：1998064915
Application date： Aug. 23, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：
【要約】【課題】半導体装置における配線の形成において、所望の幅、形状を有する配線を確実にエッチング法にて形成することを可能にする半導体装置における配線の形成方法を提供する。【解決手段】配線の形成方法は、(イ)基体12上に、不純物を含有していない若しくはp型不純物を含有するシリコン系材料層13を形成する工程と、(ロ)配線を形成すべき部分以外の該シリコン系材料層13Aに、n型不純物をイオン注入する工程と、(ハ)n型不純物がイオン注入されたシリコン系材料層13Aをエッチングし、以て、不純物を含有していない若しくはp型不純物を含有するシリコン系材料層から成る配線15を形成する工程から成る。
Claim (excerpt)：
(イ)基体上に、不純物を含有していない若しくはp型不純物を含有するシリコン系材料層を形成する工程と、(ロ)配線を形成すべき部分以外の該シリコン系材料層に、n型不純物をイオン注入する工程と、(ハ)n型不純物がイオン注入されたシリコン系材料層をエッチングし、以て、不純物を含有していない若しくはp型不純物を含有するシリコン系材料層から成る配線を形成する工程、から成ることを特徴とする半導体装置における配線の形成方法。
IPC (5)：
H01L 21/3213 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/78
FI (6)：
H01L 21/88 D ,  H01L 21/28 301 D ,  H01L 21/265 P ,  H01L 21/265 W ,  H01L 21/302 J ,  H01L 29/78 301 X
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 特開平4-196423
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-050218   Applicant：日本電気株式会社
  • 半導体装置および半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-237369   Applicant：株式会社リコー
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