Pat
J-GLOBAL ID:200903042331077208
表示装置及びその作製方法、並びにテレビ受像機
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005008643
Publication number (International publication number):2005244185
Application date: Jan. 17, 2005
Publication date: Sep. 08, 2005
Summary:
【課題】 本発明は、簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法、さらには、低コストで、スループットや歩留まりの高い表示装置の作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、基板上に感光性材料を用いて第1の膜パターンを形成し、前記第1の膜パターンに第1のレーザビームを照射し現像して、第2の膜パターンを形成し、前記第2の膜パターン表面を撥液表面に改質した後、前記撥液表面の外縁に液滴吐出法により導電材料を吐出してソース電極及びドレイン電極を形成し、前記ソース電極及びドレイン電極上に半導体領域、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法である。【選択図】 図38
Claim (excerpt):
基板上に感光性材料を用いて膜を形成し、前記膜に第1のレーザビームを照射し現像して、膜パターンを形成し、
前記膜パターン表面を撥液性に改質した後、当該撥液性を有する膜パターン表面の外縁に液滴吐出法により導電材料を吐出してソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極上に半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
IPC (11):
H01L29/786
, G02F1/1343
, G02F1/1345
, G02F1/1368
, G09F9/00
, H01L21/28
, H01L21/288
, H01L21/336
, H01L29/417
, H05B33/10
, H05B33/14
FI (12):
H01L29/78 612C
, G02F1/1343
, G02F1/1345
, G02F1/1368
, G09F9/00 342Z
, H01L21/28 A
, H01L21/288 Z
, H05B33/10
, H05B33/14 A
, H01L29/78 616K
, H01L29/78 617J
, H01L29/50 M
F-Term (137):
2H092GA24
, 2H092GA32
, 2H092GA40
, 2H092GA45
, 2H092HA06
, 2H092HA12
, 2H092HA18
, 2H092JA24
, 2H092JA37
, 2H092JA41
, 2H092JB21
, 2H092KA18
, 2H092KB21
, 2H092MA01
, 2H092NA27
, 2H092NA29
, 2H092PA01
, 2H092PA07
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007FA00
, 3K007FA01
, 3K007GA00
, 4M104AA01
, 4M104AA02
, 4M104AA08
, 4M104AA09
, 4M104AA10
, 4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB30
, 4M104BB32
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104DD02
, 4M104DD06
, 4M104DD22
, 4M104DD51
, 4M104EE03
, 4M104EE05
, 4M104EE12
, 4M104EE14
, 4M104EE16
, 4M104EE17
, 4M104EE18
, 4M104FF18
, 4M104GG08
, 4M104HH08
, 4M104HH09
, 5F110AA16
, 5F110BB02
, 5F110BB04
, 5F110BB10
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD05
, 5F110DD12
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE08
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, 5F110EE44
, 5F110EE45
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF10
, 5F110FF28
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG03
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG15
, 5F110GG16
, 5F110GG17
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG43
, 5F110GG44
, 5F110GG45
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK07
, 5F110HK09
, 5F110HK15
, 5F110HK16
, 5F110HK25
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110HK39
, 5F110NN03
, 5F110NN13
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN33
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110NN36
, 5F110NN71
, 5F110NN73
, 5F110QQ01
, 5F110QQ02
, 5F110QQ06
, 5F110QQ09
, 5F110QQ12
, 5G435AA17
, 5G435BB12
, 5G435CC09
, 5G435KK05
, 5G435KK10
, 5G435LL04
, 5G435LL08
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
-
電気光学装置の製造方法及び電気光学装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-138906
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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成膜装置及び成膜方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-364943
Applicant:東京エレクトロン株式会社
Cited by examiner (4)