半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： , , ,
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007164786
Publication number (International publication number)：2009004608
Application date： Jun. 22, 2007
Publication date： Jan. 08, 2009
Summary：

【課題】ALD法で半導体ウエハ上に成膜した金属酸化物膜の膜厚分布を均一にする。【解決手段】成膜装置11のチャンバ12内に半導体ウエハ1Wを配置し、ガス排気口14からチャンバ12内のガスを排気する。それから、ゲートバルブ15を閉じてガス排気口14からの排気を遮断した状態で、チャンバ12内に不活性ガスを導入してチャンバ内の圧力を133Pa以上、好ましくは667Pa以上で、101325Pa未満としてから、チャンバ12内に不活性ガスと金属酸化物成膜用の原料ガスとの混合ガスを導入する。その後、ゲートバルブ15を開けてガス排気口14からチャンバ12内のガスを排気してから、酸化用ガスをチャンバ12内に導入し、半導体ウエハ1Wに吸着されていた原料ガス分子と反応させて、半導体ウエハ1W上に金属酸化物膜を形成する。これらを繰り返すことで、半導体ウエハ1W上に所望の厚みの金属酸化物膜2が成膜される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法; (a)半導体ウエハが配置されたチャンバ内に不活性ガスを導入して前記チャンバ内の圧力を133Pa以上で101325Pa未満の第1の圧力にする工程、 (b)前記第1の圧力とされ、かつ排気が行われていない状態の前記チャンバ内に、原料ガスを導入する工程、 (c)前記チャンバ内の前記原料ガスを前記チャンバ外に排気する工程、 (d)前記(c)工程の後、酸化用ガスを前記チャンバ内に導入し、前記半導体ウエハに吸着していた前記原料ガスの分子と反応させて、前記半導体ウエハ上に金属酸化物膜を形成する工程。

IPC (4)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , C23C 16/40 , H01L 29/78

FI (4)：

H01L21/316 X , H01L21/31 B , C23C16/40 , H01L29/78 301G

F-Term (58)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA09 , 4K030LA15 , 5F045AA04 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045BB02 , 5F045DP04 , 5F045EE19 , 5F045EG06 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF36 , 5F058BF37 , 5F058BH01 , 5F058BJ01 , 5F140AA00 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BD11 , 5F140BE09 , 5F140BE17 , 5F140BE18 , 5F140BE19 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG32 , 5F140BG38 , 5F140BG51 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ20 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK25 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CF04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

金属酸化物薄膜の成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-360464 Applicant：株式会社堀場製作所, ローム株式会社, 株式会社ルネサステクノロジ
原子層制御薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-042306 Applicant：株式会社半導体先端テクノロジーズ

Cited by examiner (1)

薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-055490 Applicant：三井造船株式会社

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