薄膜形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：山川政樹 , 山川茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005055490
Publication number (International publication number)：2006245089
Application date： Mar. 01, 2005
Publication date： Sep. 14, 2006
Summary：

【課題】原子層成長方法において、ガスの無駄を抑制した状態で、より高速に成膜できるようにする。【解決手段】原料吸着の過程で、まず、成膜チャンバーの内部の排気状態は停止された状態とする。また、成膜チャンバーの内部にSiCl4からなる原料ガスが導入され、シリコン基板の上に原料ガスが供給された状態とする。ここで、原料ガスの供給は、約5秒間行った後停止し、原料吸着の過程は30秒程度継続する。言い換えると、排気状態が停止された30秒間の初期に、約5秒程度の間は原料ガスの供給を行い、この後の25秒程度の間は、原料ガスの供給を停止する。このことにより、シリコン基板の上に、原料であるSiCl4分子が吸着してSiCl4分子層(吸着層)が形成された状態とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

成膜対象の基板が載置された成膜チャンバーの内部が排気されて所定の圧力とされた状態にする第1工程と、前記成膜チャンバーの内部に所定量の第1原料ガスを導入して前記第1原料ガスが前記基板の表面に供給された状態とし、前記基板の表面に前記第1原料ガスからなる吸着層が形成された状態とする第2工程と、前記第1原料ガスの供給が停止され、前記成膜チャンバーの内部が排気された状態とし、前記成膜チャンバーの内部がパージされた状態とする第3工程と、前記成膜チャンバーの内部に所定量の第2原料ガスを導入して前記第2原料ガスが前記基板の表面に供給された状態とし、前記吸着層と前記第2原料ガスを構成する材料とから構成された薄膜が、前記基板の表面に形成された状態とする第4工程とを少なくとも備え、前記第2工程の中の少なくとも一部の時間帯は、前記成膜チャンバーの内部の排気が停止された状態とすることを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/31 , C23C 16/455

FI (2)：

H01L21/31 B , C23C16/455

F-Term (21)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030AA17 , 4K030BA44 , 4K030EA03 , 4K030EA11 , 4K030FA10 , 4K030JA09 , 4K030JA11 , 5F045AA15 , 5F045AB32 , 5F045AC03 , 5F045AD08 , 5F045AE23 , 5F045BB08 , 5F045CA05 , 5F045DP03 , 5F045EE18 , 5F045EE19 , 5F045EG05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開平1-179423号公報
薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-320816 Applicant：富士通株式会社
酸化物薄膜の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-315409 Applicant：エイエスエムマイクロケミストリオーワイ

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Cited by examiner (7)

縦型半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-107067 Applicant：株式会社日立国際電気
化学的気相成長法及び化学的気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-236247 Applicant：日産自動車株式会社
成膜方法及び成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-201690 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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