金属酸化物薄膜の成膜方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：西村竜平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004360464
Publication number (International publication number)：2006169556
Application date： Dec. 13, 2004
Publication date： Jun. 29, 2006
Summary：

【課題】成膜速度に影響を及ぼすことなく、多種の金属酸化物薄膜、特に異なる種類の金属からなる複合金属酸化物薄膜をALD法を利用して生成する。【解決手段】原料ガスに加水分解性のある金属化合物を用いるとともに、酸化剤ガスに金属塩の水和物を用いる。そして、基板を置いた反応室内に前記原料ガスと酸化剤ガスをパージガスによる排気工程をはさんで交互に供給し、前記基板上に金属酸化物薄膜を成膜するようにした。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板を置いた反応室内に原料ガスと酸化剤ガスを交互に供給し、前記基板上に金属酸化物薄膜を成膜する方法であって、原料ガスに加水分解性のある金属化合物を用い、酸化剤ガスに金属塩の水和物を用いるようにしたことを特徴とする金属酸化物薄膜の成膜方法。

IPC (3)：

C23C 16/40 , C23C 16/44 , H01L 21/316

FI (3)：

C23C16/40 , C23C16/44 A , H01L21/316 X

F-Term (12)：

4K030AA11 , 4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030LA15 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BF02 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ナノラミネート膜の原子層堆積
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-042166 Applicant：シャープ株式会社
揮発性原料を用いたMIS型トランジスタ素子およびそれを備えた半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-275532 Applicant：株式会社日立製作所, 三菱電機株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-275027 Applicant：シャープ株式会社

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