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J-GLOBAL ID：200903042405869110

半導体基板の洗浄装置

Inventor： 真名子 和義
Applicant, Patent owner： 住友シチックス株式会社
Agent (1)： 森 正澄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995283562
Publication number (International publication number)：1997129584
Application date： Oct. 31, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【目的】 処理液温度及び酸化性ガスの溶解量を調節し、溶解量が調節された酸化性ガスを含む洗浄液をウエーハ表面にむらなく供給して、ウエーハを安定に洗浄できる半導体基板の洗浄装置を提供すること。【構成】 半導体基板の洗浄を行う洗浄槽2と循環濾過装置を備えた半導体基板の洗浄装置において、洗浄液中の不純物を清浄するための濾過ライン中に設けたポンプ6及びフィルターユニット7と、ポンプ6及びフィルターユニット7の下流側に設けられ、洗浄液の温度調節を行うとともに、洗浄液にガスを溶解する温度調節機能付き気体混合装置8と、気体混合装置8の下流側に設けられ、混合したガスの未溶解分を洗浄液から分離するガス分離装置9と、を備えた構成の半導体基板の洗浄装置である。

Claim (excerpt)：

半導体基板の洗浄を行う洗浄槽と循環濾過装置を備えた半導体基板の洗浄装置において、洗浄液中の不純物を清浄するための濾過ライン中に設けたポンプ及びフィルターユニットと、前記ポンプ及びフィルターユニットの下流側に設けられ、洗浄液の温度調節を行うとともに、洗浄液にガスを溶解する温度調節機能付き気体混合装置と、前記気体混合装置の下流側に設けられ、混合したガスの未溶解分を洗浄液から分離するガス分離装置と、を備えたことを特徴とする半導体基板の洗浄装置。

IPC (4)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  B01D 19/00 ,  B01D 35/02

FI (5)：

H01L 21/304 341 T ,  H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/304 341 Z ,  B01D 19/00 Z ,  B01D 35/02 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 薬液供給装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-200959   Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
• 加温純水リサイクルシステム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-133730   Applicant：富士通株式会社