窒化物半導体素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998126989
Publication number (International publication number)：1999191637
Application date： May. 11, 1998
Publication date： Jul. 13, 1999
Summary：

【要約】【目的】結晶欠陥の少ない窒化物半導体を下地層として用い、例えばレーザ素子、LED素子、受光素子等に使用できる高効率で信頼性の高い窒化物半導体素子を実現する。【構成】結晶欠陥が少ない領域と、結晶欠陥が多い領域とを有する窒化物半導体よりなる下地層に、活性層を含む窒化物半導体層が成長されており、結晶欠陥が少ない領域の下地層上部に成長された活性層の面積が、結晶欠陥が多い領域の下地層上部に成長された活性層の面積よりも大きい。または結晶欠陥が多い領域と、結晶欠陥が少ない領域とを有する窒化物半導体よりなる下地層上部にレーザ発振領域を有しており、そのレーザ発振領域は結晶欠陥が少ない下地層上部に設けられている。これらの構成により結晶欠陥が活性領域に転位しないので長寿命な素子が得られる。

Claim (excerpt)：

結晶欠陥が少ない領域と、結晶欠陥が多い領域とを有する窒化物半導体よりなる下地層上部に、活性層を含む窒化物半導体層が成長されており、結晶欠陥が少ない領域の下地層上部に成長された活性層の面積が、結晶欠陥が多い領域の下地層上部に成長された活性層の面積よりも大きいことを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-288365 Applicant：日亜化学工業株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-172042 Applicant：日亜化学工業株式会社
n型窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-227679 Applicant：日亜化学工業株式会社

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特開平4-127521
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