チタン含有セラミックス薄膜の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997097768
Publication number (International publication number)：1998287983
Application date： Apr. 15, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】ポストアニール方式により得られるセラミックス薄膜は、非晶質膜から結晶膜への移行過程で結晶核が膜中のいたるところ発生するため、ランダム配向の多結晶膜となってしまい、該セラミックス薄膜の物性が低下してしまうことが課題であった。【解決手段】基板上のチタン含有セラミックス薄膜の製造方法において、該基板上に先ず金属チタン(Ti)、酸化チタン(TiO2)等のチタン化合物層を形成させ、その上に所望セラミックス膜を形成させる工程とする。

Claim (excerpt)：

(1)基板上にチタン(Ti)化合物層を形成する工程と、(2)前記チタン化合物層上に非晶質状のセラミックス前駆体膜を形成する工程と、(3)これを結晶化させる工程とからなることを特徴とするチタン含有セラミックス薄膜の製造方法。

IPC (6)：

C23C 20/08 , B01J 19/00 , C01G 23/00 , C04B 35/49 , C30B 1/02 , C30B 29/32

FI (6)：

C23C 20/08 , B01J 19/00 K , C01G 23/00 C , C30B 1/02 , C30B 29/32 A , C04B 35/49 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

複合酸化物の結晶性薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-142757 Applicant：ローム株式会社
強誘電体キャパシタと、強誘電体キャパシタ及び強誘電体膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-047863 Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
強誘電体薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-134982 Applicant：シャープ株式会社

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