強磁性トンネル効果膜を用いた磁気抵抗効果素子及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996246133
Publication number (International publication number)：1998093159
Application date： Sep. 18, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】上部強磁性体層/トンネルバリア層/下部強磁性体層からなる多層構造を基板上に有し、強磁性トンネル効果を利用した磁気抵抗効果素子において、トンネルバリアに発生するピンホールを減らし、より大きな磁気抵抗変化率が得られるようにする。【解決手段】基板1上に、下部強磁性体層2と、上部強磁性体層3と、下部強磁性体層2と上部強磁性体層4に挟まれトンネルバリア層を含む非磁性体層3と、下部強磁性体層2に接触する下部電極6と、上部強磁性体層4に接触しかつ下部電極6とは電気的に絶縁されている上部電極7とを有する磁気抵抗効果素子において、下部強磁性体層2の上面側で下部電極6と下部強磁性体層2とを接触させることにより、非磁性体層3と下部強磁性体層2との接合領域の直下の領域において基板1に下部強磁性体層2が直接接した構造を有するようにする。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に形成された下部強磁性体層と、上部強磁性体層と、前記下部強磁性体層と前記上部強磁性体層に挟まれトンネルバリアを含む非磁性体層と、前記下部強磁性体層に接触する下部電極と、前記上部強磁性体層に接触しかつ前記下部電極とは電気的に絶縁されている上部電極と、からなる強磁性トンネル効果膜を用いた磁気抵抗効果素子において、前記非磁性体層と前記下部強磁性体層との接合領域の直下の領域において前記基板に前記下部強磁性体層が直接接した構造を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 , G11B 5/39 , H01L 43/12

FI (3)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01L 43/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

磁気抵抗複合素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-244448 Applicant：三菱マテリアル株式会社
磁気抵抗素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-186807 Applicant：三菱マテリアル株式会社
磁気抵抗素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-205394 Applicant：三菱マテリアル株式会社

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