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J-GLOBAL ID：200903042608709266

金属-金属結合錯体を使用した分子電子デバイス

Inventor： ケイガン、シェリー、アール ,  リン、チュン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
Agent (3)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003585194
Publication number (International publication number)：2006508525
Application date： Mar. 27, 2003
Publication date： Mar. 09, 2006
Summary：

本発明は、ソース領域およびドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域の間に延在する分子媒体と、ソース領域、ドレイン領域および分子媒体の間の電気絶縁層とを含む分子デバイスを提供する。本発明の分子デバイス中の分子媒体は、金属-金属結合錯体単分子層と有機単分子層の交互単分子層を有する薄膜である。

Claim (excerpt)：

ソース領域およびドレイン領域と、 前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に延在する分子媒体と、 前記ソース領域、前記ドレイン領域および前記分子媒体の間の電気絶縁層と を備えた分子デバイス。

IPC (4)：

H01L 51/05 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/861

FI (4)：

H01L29/28 ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/91 G

F-Term (15)：

5F110AA30 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110GG19 ,  5F110GG42 ,  5F110HM02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 米国特許番号第5217792号
  
• 米国特許番号第5326626号
  
• 半導体チャネルとして有機/無機混成材料を有する薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-050047   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
• スイッチング素子の製造方法、スイッチング素子及びスイッチング素子アレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-374990   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (2)

• 半導体チャネルとして有機/無機混成材料を有する薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-050047   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
• スイッチング素子の製造方法、スイッチング素子及びスイッチング素子アレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-374990   Applicant：株式会社東芝