半導体装置の製造方法及び半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996173524
Publication number (International publication number)：1998022377
Application date： Jul. 03, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】部分的に除去された埋め込み酸化膜及び表面酸化膜により薄膜SOI層の絶縁特性及び結晶特性を向上させる。【解決手段】シリコン単結晶基板1の片側の面に部分的にシリコン酸化膜2が形成されていない領域から酸素イオンを注入し、表面酸化膜3を形成する。次にシリコン単結晶が露出している領域にシリコン単結晶部分4をエピタキシャル法により形成する。この基板と別の基体シリコン単結晶基板5を接着し、片側を研磨することでイオン注入で形成した表面酸化膜3を表面に露出させる。この表面に露出した表面酸化膜3は光リソグラフィ法でパターンを形成していく際に、異なるマスク間の合わせ基準となる。また、この表面酸化膜3は、素子分離のために用いられるかあるいは素子が形成されない領域であるチップ間のスクライブ線領域に対応させる。

Claim (excerpt)：

埋め込み酸化膜が形成された半導体基板と基体半導体基板とを接着することにより、前記埋め込み酸化膜上に素子形成領域となる薄膜半導体層を形成した半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、半導体基板内に熱酸化法により形成された埋込み酸化膜を、素子形成領域において部分的に除去する工程と、一部表面に露出している表面酸化膜を、素子分離領域に形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/762 , H01L 21/02 , H01L 21/265 , H01L 21/304 321 , H01L 21/322 , H01L 27/12

FI (8)：

H01L 21/76 D , H01L 21/02 B , H01L 21/304 321 S , H01L 21/322 E , H01L 27/12 E , H01L 27/12 B , H01L 27/12 F , H01L 21/265 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-073068 Applicant：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-006090 Applicant：株式会社東芝
張り合わせ基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-285773 Applicant：日本電気株式会社

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