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J-GLOBAL ID：200903042807407023

バナジウム占有の無い半絶縁性炭化珪素

Inventor： カーター,カルヴィン・エイチ,ジュニアー ,  ブレイディ,マーク ,  ツヴェトコフ,ヴァレリ・エフ
Applicant, Patent owner： クリー インコーポレイテッド
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000620157
Publication number (International publication number)：2003500321
Application date： May. 17, 2000
Publication date： Jan. 07, 2003
Summary：

【要約】室温で少なくとも5000Ω・cmの抵抗率と、結晶の抵抗率に影響を及ぼす量に満たない、好ましくは検出可能レベル未満である、深準位捕獲元素の濃度とを有する炭化珪素の半絶縁性バルク単結晶を開示する。また、本発明にしたがう基板を用いて形成されるデバイスのマイクロ波周波数可能出力を利用する得られるいくつかのデバイスと共に、前記結晶を形成する方法も開示する。

Claim (excerpt)：

室温で少なくとも5000Ω・cmの抵抗率と、結晶の電子的特性に影響を及ぼす量に満たない深準位捕獲元素濃度とを有する炭化珪素の半絶縁性バルク単結晶。

IPC (5)：

C30B 29/36 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/161 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (4)：

C30B 29/36 A ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 B ,  H01L 29/163

F-Term (13)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077SA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GQ01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平4-149017
  
• 高抵抗炭化ケイ素層の形成方法および炭化ケイ素半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-115878   Applicant：株式会社イオン工学研究所, 松波弘之, 木本恒暢
• 特許第4309247号
  

Cited by examiner (2)

• 特開平4-149017
  
• 高抵抗炭化ケイ素層の形成方法および炭化ケイ素半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-115878   Applicant：株式会社イオン工学研究所, 松波弘之, 木本恒暢

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Growth of large SiC single crystals