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J-GLOBAL ID：200903042817806732

マイクロプラズマ反応装置

Inventor： 黒澤 茂 ,  愛澤 秀信 ,  寺嶋 和夫
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004295457
Publication number (International publication number)：2006104545
Application date： Oct. 07, 2004
Publication date： Apr. 20, 2006
Summary：

【課題】常温・常圧下に極微小空間に低エネルギーで安定発生させることができる低温マイクロプラズマ発生機構(トーチ)を備えたマイクロプラズマ反応装置を提供する。【解決手段】試料ガス導入管が接続されたプラズマトーチ外管の内部にプラズマガス導入管が接続されたプラズマトーチ内管を設けてなる筒状のプラズマトーチ、前記プラズマトーチ内管の出口部近傍の外周に設けられたプラズマガス励起用高周波コイル、および原料モノマーガス供給手段を備えたマイクロプラズマ反応装置。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

試料ガス導入管が接続されたプラズマトーチ外管の内部にプラズマガス導入管が接続されたプラズマトーチ内管を設けてなる筒状のプラズマトーチ、前記プラズマトーチ内管の出口部近傍の外周に設けられたプラズマガス励起用高周波コイル、および原料モノマーガス供給手段を備えたことを特徴とするマイクロプラズマ反応装置。

IPC (1)：

C23C 14/12

FI (1)：

C23C14/12

F-Term (11)：

4K029AA02 ,  4K029AA06 ,  4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA62 ,  4K029BD00 ,  4K029CA12 ,  4K029EA01 ,  4K029EA06 ,  4K029EA09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• マイクロプラズマCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-137956   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• プラズマジェット発生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-297850   Applicant：科学技術振興事業団

Cited by examiner (1)

• マイクロプラズマCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-137956   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所