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J-GLOBAL ID:200903059908452534
プラズマジェット発生装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
西澤 利夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001297850
Publication number (International publication number):2003109795
Application date: Sep. 27, 2001
Publication date: Apr. 11, 2003
Summary:
【要約】【課題】 高密度プラズマを細いノズルからジェット状に噴出させ、被加工物の局所部位に溶断、エッチング、薄膜堆積などの加工、表面処理を高速で行うプラズマジェット発生装置を提供する。【解決手段】 放電管(2)と、放電管(2)付近に配置されたソレノイドアンテナ(4)およびその電源(9)から構成されている高周波誘導結合式のプラズマ発生装置であって、放電管(2)の一端に放電管(2)よりも内径の小さいノズル(6)を有し、放電管(2)の内径が5mm以下であり且つVHF帯の高周波電源(9)により駆動されることを特徴とするプラズマジェット発生装置(1)。
Claim (excerpt):
放電管と、放電管付近に配置されたアンテナおよびその電源から構成される高周波誘導結合式のプラズマ発生装置において、放電管の一端に放電管よりも内径の小さいノズルを有し、放電管の内径が5mm以下であり且つVHF帯の高周波電源により駆動されることを特徴とするプラズマジェット発生装置。
IPC (2):
FI (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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ICPトーチ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-130527
Applicant:横河電機株式会社
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大気圧吹き出し型プラズマ反応装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-272853
Applicant:小駒益弘, 岡崎幸子
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ICP発光分光分析装置の点火回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-087562
Applicant:株式会社堀場製作所
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特開昭63-277767
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-089126
Applicant:松下電工株式会社
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プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-064750
Applicant:株式会社日立製作所
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プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-076354
Applicant:株式会社東芝
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プラズマ発生装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-036249
Applicant:寺嶋和夫, 日本電子株式会社
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