位相シフトマスクの欠陥修正方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994221233
Publication number (International publication number)：1996087103
Application date： Sep. 16, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】欠陥修正後の修正部分の転写パターンの線幅変動が、設計寸法の±10%以下であり、かつ、必要とする焦点深度が得られる位相シフトマスクの欠陥修正方法を提供する。【構成】透光性基板と、この透光性基板表面に形成された半透過性材料からなる位相シフタ部とを有するハーフトーンマスクに存在する凹欠陥を修正する方法である。修正後のマスクを介して露光を施すことによりウエハ上に形成されるパターンの解像寸法の変動が、設計寸法の±10%未満となる範囲で、凹欠陥部分に遮光体を埋めることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

透光性基板と、この透光性基板表面に形成された半透過性の材料からなる位相シフタ部とを有するハーフトーンマスクに存在する凹欠陥を修正するにおいて、修正後のマスクを介して露光を施すことによりウエハ上に形成されるパターンの解像寸法の変動が、設計寸法の±10%以下となる範囲で、凹欠陥部分に遮光体を埋めることを特徴とする位相シフトマスクの欠陥修正方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (3)：

H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 502 W , H01L 21/30 528

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ハーフトーン方式位相シフトマスク及びその修正方法並びに半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-163169 Applicant：ソニー株式会社
ホトマスクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-303557 Applicant：株式会社日立製作所
集束イオンビームによるパターン修正方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-344588 Applicant：富士通株式会社

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