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J-GLOBAL ID:200903042917376573

半導体受光素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 川瀬 茂樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995243759
Publication number (International publication number):1997061678
Application date: Aug. 28, 1995
Publication date: Mar. 07, 1997
Summary:
【要約】【目的】 1.3μm光と1.55μm光とを用いて双方向光通信を行う光加入者系モジュール(ONUモジュール)において、波長分波器によって1.3μm光と1.55μm光を分離するが、現在の波長分波器では不要光成分の減衰比が不十分である。そこで分離した後の経路に不要光を遮断するための多層膜フィルタを設ける。多層膜フィルタの為に部品コスト、組立コストが上昇する。多層膜フィルタを省く事が目的である。【構成】 光ファイバの一部にグレーティングを設けて、これによって不要光を反射して減衰比を下げる。多層膜フィルタは省く。グレーティングを光ファイバに形成するから部品の体積は全く増えない。部品点数も増加しない。組立コストも上昇しない。モジュールをより小型化することができる。
Claim (excerpt):
光信号を電気信号に変換するフォトダイオードチップと、電気信号を外部に取り出す手段と、フォトダイオードチップ及び電気信号を外部に取り出す手段とを支持する手段と、外部から光信号を伝送してくる光ファイバと、その支持体とよりなる半導体受光素子において、所望の波長の光を選択的に反射するファイバグレーティングフィルタが支持体の内部の光ファイバの一部に設けられていることを特徴とする半導体受光素子。
IPC (4):
G02B 6/42 ,  H01L 31/0232 ,  H04B 10/28 ,  H04B 10/02
FI (3):
G02B 6/42 ,  H01L 31/02 C ,  H04B 9/00 W
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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