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J-GLOBAL ID：200903042934989600

電界放射カソードの製造方法

Inventor： 小川 倉一 ,  鈴木 義彦 ,  岡本 昭夫 ,  世古 暢哉
Applicant, Patent owner： 大阪府 ,  関西日本電気株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993267134
Publication number (International publication number)：1995122180
Application date： Oct. 26, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 電界放射カソードのエミッタ2の形状をスパッタ法によって最適化する。【構成】 ターゲット寸法wと基板間距離lとの比w/lを1.0以下に設定する。ターゲットと基板の間に開口断面の最大幅dと板厚tの比t/dが0.2以上3.0以下である開口部をもち、その開口位置部面積が全面積の20%以上としたコリメータを挿入する。

Claim (excerpt)：

導電性基板または、絶縁性の基板上に導電性の膜を形成した基板上に、絶縁層とゲート電極となる導電性膜をこの順に積層する工程と、上記ゲート電極と絶縁層に基板の導電部に達する開口部を形成する工程と、上記ゲート電極の上面および開口部に、基板を基板に対して垂直な回転軸で回転させながら、斜め方向から選択的にエッチング可能な材料を成膜して犠牲層を形成する工程と、基板に垂直な方向からエミッタ電極となる物質をスパッタ法により堆積させることにより上記開口部の内部に略円錐状のエミッタ電極を形成する工程と、上記犠牲層のみを選択的にエッチングすることにより、ゲート電極上に体積した膜を除去する工程からなる。縦型電界放射カソードの製造工程において、エミッタ電極をスパッタ法によって形成する際に、基板へ入射する堆積粒子の入射方向を基板に対して垂直に近い角度に制限することを特徴とする電界放射カソードの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 点状電極の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-077051   Applicant：エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン