Pat
J-GLOBAL ID：200903042986086668

エッチング方法

Inventor：
石川 充

About 石川 充

, 
萩原 正明

About 萩原 正明

, 
稲沢 剛一郎

About 稲沢 剛一郎


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 亀谷 美明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999303422
Publication number (International publication number)：2001127040
Application date： Oct. 26, 1999
Publication date： May. 11, 2001
Summary：
【要約】【課題】 選択比の向上,及びエッチング形状の改善を図ることの可能なエッチング方法を提供する。【解決手段】 気密な処理室104内に処理ガスを導入し,処理室内に配置された基板上に形成されたエッチング対象膜に対するエッチング方法において,処理ガスはCF4とN2とArとからなり,エッチング対象膜は,上層の有機ポリシロキサン膜及び下層の無機SiO2膜からなる。処理ガスのCF4とN2の流量比は実質的に,1≦(N2の流量/CF4の流量)≦4である。(N2の流量/CF4の流量)が1未満であると,エッチングストップを起こし,深くエッチングできない。また,(N2の流量/CF4の流量)が4より大きいと,ボーイングが生じるなど,エッチング形状が良くない。このため,処理ガスのCF4とN2の流量比は,実質的に,1≦(N2の流量/CF4の流量)≦4であることが好ましい。
Claim (excerpt)：
気密な処理室内に処理ガスを導入し,前記処理室内に配置された基板上に形成されたエッチング対象膜に対するエッチング方法において,前記処理ガスは少なくともCF4とN2とを含み,前記エッチング対象膜は,上層の有機ポリシロキサン膜及び下層のSiO2膜からなることを特徴とする,エッチング方法。
IPC (2)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00
FI (2)：
C23F 4/00 E ,  H01L 21/302 F
F-Term (17)：
5F004AA05 ,  5F004BA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA08 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB22 ,  5F004CA02 ,  5F004DA01 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA30 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB23 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM