Pat
J-GLOBAL ID：200903042998241634

絶縁膜の形成方法

Inventor：
遠藤 和彦

About 遠藤 和彦


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997144878
Publication number (International publication number)：1998335322
Application date： Jun. 03, 1997
Publication date： Dec. 18, 1998
Summary：
【要約】【課題】 フッ素含有絶縁膜のフッ素含有量を制御する手法を提供する。絶縁膜堆積中にフッ素濃度を局所的に変化させることで、膜剥がれを防止する。またフッ素濃度を最適化させることにより吸湿性を低下させる。【解決手段】 フッ素含有絶縁膜中のフッ素含有量を制御するために、原料ガスの解離を利用する。複数のフッ素原子が結合した化合物を原料に用いて、プラズマ励起化学的気相成長により、絶縁膜を堆積する際に、気相成長時の圧力を制御し、プラズマ中の原料ガスの解離度を制御する。解離が進行するにつれて、フッ素含有量の少ないラジカルがプラズマ中で支配的なラジカルとなることを利用して、絶縁膜中のフッ素含有量を制御する。これにより、フッ素含有量を低下させ、もしくは該絶縁膜が他の膜と接する面のフッ素含有量を局所的に低下させて、吸湿性を低減させ、また剥がれ等を防止する。
Claim (excerpt)：
水素あるいは水素原子を含まない原料ガスを減圧下でプラズマ解離することでフッ素添加絶縁膜の堆積を行うことを特徴とする絶縁膜の形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/314 ,  H01L 21/31
FI (2)：
H01L 21/314 A ,  H01L 21/31 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM