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J-GLOBAL ID:200903043060584270

有機半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 井上 一 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001340671
Publication number (International publication number):2003142692
Application date: Nov. 06, 2001
Publication date: May. 16, 2003
Summary:
【要約】【課題】 有機半導体層を用いた新規な有機半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の有機半導体装置100は、基板10に設けられた凹部20に配置された有機半導体層80と、ドレイン電極30およびソース電極50と、有機半導体層80に対してゲート絶縁層60を介して配置されたゲート電極40と、を含む。
Claim (excerpt):
基板に設けられた凹部に配置された有機半導体層と、ドレイン電極およびソース電極と、前記有機半導体層に対してゲート絶縁層を介して配置されたゲート電極と、を含む、有機半導体装置。
IPC (2):
H01L 29/786 ,  H01L 51/00
FI (6):
H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/78 617 N ,  H01L 29/78 626 C
F-Term (20):
5F110AA16 ,  5F110CC09 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD21 ,  5F110DD30 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE29 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07 ,  5F110HK33
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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