金属膜の研磨方法及び研磨装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：後藤洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996066276
Publication number (International publication number)：1997260315
Application date： Mar. 22, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】研磨速度の向上を図ることのできる研磨方法を提供すること。【解決手段】半導体基板上に被覆された金属膜を研磨パッド6上で研磨する際に、研磨パッド上にてアルミナ粒子含有溶液と酸化剤を混合した研磨剤を用いる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に被覆された金属膜を研磨パッド上で研磨する際に、アルミナ粒子含有溶液と酸化剤を研磨パッド上にて混合した研磨剤を用いることを特徴とする金属膜の研磨方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/304

FI (3)：

H01L 21/304 321 E , H01L 21/304 321 M , H01L 21/304 321 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-124290 Applicant：ミクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド
混合液供給装置とそれを有する半導体の研磨装置及び混合液供給方法と半導体の研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-036360 Applicant：株式会社東芝, 株式会社荏原製作所
埋込み形および突起状タングステンプラグを形成するための化学的・機械的ポリッシング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-026065 Applicant：マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド

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