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J-GLOBAL ID：200903043198358459
薄膜層ウェハ製造方法、及び薄膜層ウェハ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (8)：
三好 秀和
, 三好 保男
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 栗原 彰
, 川又 澄雄
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002305083
Publication number (International publication number)：2004140266
Application date： Oct. 18, 2002
Publication date： May. 13, 2004
Summary：
【課題】半導体ウェハ1の表面1a及び半導体ウェハ1の表面1aに極めて近い領域のみを局部的に加熱し、薄膜層3と絶縁基板2を強固に結合するまでの加熱時間を極めて短くする。【解決手段】半導体ウェハ3に表面3aから水素イオンを注入することにより、半導体ウェハ1の内部に表面3aに対して平行な微小気泡層6を形成し、半導体ウェハ1の表面1aと絶縁基板2の一面2aと貼り合わせ、レーザ光7を外側から絶縁基板2に向かって照射することにより、微小気泡層6を劈開面として半導体ウェハ1を薄膜状に剥離すると共に、剥離された薄膜層3と絶縁基板2を強固に結合する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体ウェハと透明な絶縁基板を用いて、薄膜層を有した薄膜層ウェハを製造する薄膜層ウェハ製造方法において、
前記半導体ウェハに表面から水素イオン又は希ガスイオンを注入することにより、前記半導体ウェハの内部に前記表面に対して平行な微小気泡層を形成するイオン注入工程と、
前記イオン注入工程が終了した後に、前記半導体ウェハの前記表面と前記絶縁基板の一面と貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記貼り合わせ工程が終了した後に、レーザ光を外側から前記絶縁基板に向かって照射することにより、前記微小気泡層を劈開面として前記半導体ウェハを薄膜状に剥離すると共に、剥離された前記薄膜層と前記絶縁基板を強固に結合するレーザ光照射工程と、
を備えてなることを特徴とする薄膜層ウェハ製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L27/12 B
, H01L21/02 B
Cited by examiner (5)
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