半導体ウェハ及びその製作法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石原詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000015756
Publication number (International publication number)：2001210810
Application date： Jan. 25, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体層と絶縁層とが交互に二週期以上周期的に積層された積層構造を有しかつ貼り合わせ法で製作される半導体ウェハにおいて、絶縁層の少なくとも一層がイオン注入された酸素により形成された絶縁層である新規な貼り合わせ半導体ウェハ及びイオン注入剥離法を用いたその貼り合わせ半導体ウェハの新規な製作法を提供する。【解決手段】貼り合わせ法を用いて製作され、半導体層と絶縁層とが交互に二周期以上周期的に積層された積層構造を有する半導体ウェハであって、前記絶縁層の少なくとも1層がイオン注入された酸素により形成するようにした。

Claim (excerpt)：

貼り合わせ法を用いて製作され、半導体層と絶縁層とが交互に二周期以上周期的に積層された積層構造を有する半導体ウェハであって、前記絶縁層の少なくとも1層がイオン注入された酸素により形成されたものであることを特徴とする貼り合わせ半導体ウェハ。

IPC (3)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/265

FI (4)：

H01L 27/12 B , H01L 27/12 E , H01L 21/02 B , H01L 21/265 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-317859 Applicant：日本電気株式会社
半導体ウェーハ製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-319786 Applicant：現代電子産業株式会社
積層材料および光機能素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-122556 Applicant：信越半導体株式会社

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Cited by examiner (4)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-317859 Applicant：日本電気株式会社
半導体ウェーハ製造方法
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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

"Electrical and optical characterisation of double SIMOX structures formed by sequential high energy
"Low-loss Planar Optical Waveguides Fabricated in SIMOX Material"
"0.15dB/cm loss in Unibond SOI wavelength"

Cited by examiner (3)

"Electrical and optical characterisation of double SIMOX structures formed by sequential high energy
"Low-loss Planar Optical Waveguides Fabricated in SIMOX Material"
"0.15dB/cm loss in Unibond SOI wavelength"

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