低抵抗p型単結晶酸化亜鉛およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999229504
Publication number (International publication number)：2001048698
Application date： Aug. 13, 1999
Publication date： Feb. 20, 2001
Summary：

【要約】【課題】低抵抗p型単結晶酸化亜鉛を得る。【構成】酸化亜鉛の単結晶を薄膜形成法で形成する際に、n型ドーパントおよびp型ドーパントを、p型ドーパント濃度がn型ドーパント濃度より大きくなるようにドーピングする。さらに、II族元素を同時ドーピングすることにより酸素の安定化ができる。

Claim (excerpt)：

p型ドーパントとn型ドーパントを含有している低抵抗p型単結晶酸化亜鉛。

IPC (3)：

C30B 29/16 , C30B 25/02 , H01L 21/363

FI (3)：

C30B 29/16 , C30B 25/02 Z , H01L 21/363

F-Term (22)：

4G077AA03 , 4G077BB07 , 4G077DA05 , 4G077DB08 , 4G077EB01 , 4G077EB02 , 4G077EC10 , 4G077ED06 , 4G077EG16 , 4G077FE11 , 4G077FH01 , 4G077HA06 , 5F103AA04 , 5F103BB04 , 5F103DD30 , 5F103JJ01 , 5F103KK03 , 5F103KK05 , 5F103KK07 , 5F103KK10 , 5F103NN06 , 5F103PP03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特許第3540275号
特表平5-504988
P型ドーパントを含有する酸化亜鉛膜およびその製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-564239 Applicant：ザ・キュレーターズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ミズーリ

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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