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J-GLOBAL ID：200903070285695272

P型ドーパントを含有する酸化亜鉛膜およびその製造方法

Inventor：
ヘンリー・ダブリュー・ホワイト

About ヘンリー・ダブリュー・ホワイト

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シェン・ズ

About シェン・ズ

, 
ユンリエル・リュ

About ユンリエル・リュ


Applicant, Patent owner：
ザ・キュレーターズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ミズーリ

About ザ・キュレーターズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ミズーリ


Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000564239
Publication number (International publication number)：2003533006
Application date： Aug. 02, 1999
Publication date： Nov. 05, 2003
Summary：
【要約】p型の酸化亜鉛膜ならびにそのような膜およびpn接合またはnp接合の製造方法が開示される。好ましい実施形態において、このp型の酸化亜鉛膜はヒ素を含有し、ヒ化ガリウム基板上に成長させられる。このp型の酸化亜鉛膜は、正味のアクセプタ濃度が少なくとも約1015アクセプタ/cm3であり、抵抗率が約1オーム-cm以下であり、かつホール移動度が約0.1cm2/Vs〜約50cm2/Vsである。
Claim (excerpt)：
p型ドーパントを含有し、そして少なくとも約1015アクセプタ/cm3の正味のアクセプタ濃度、約1オーム-cm以下の抵抗率、および約0.1cm2/Vs〜約50cm2/Vsのホール移動度を有する、基板上のZnO膜。
IPC (7)：
H01L 29/22 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/385 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/327
FI (7)：
H01L 29/22 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/225 D ,  H01L 21/385 ,  H01L 33/00 D ,  H01S 5/327 ,  H01L 31/10 A
F-Term (28)：
5F041CA41 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA67 ,  5F041CA72 ,  5F041CA73 ,  5F049MA01 ,  5F049MB01 ,  5F049MB12 ,  5F049PA09 ,  5F049PA11 ,  5F049PA20 ,  5F049SS04 ,  5F073CA22 ,  5F073CB02 ,  5F073CB17 ,  5F073DA07 ,  5F073DA13 ,  5F073DA16 ,  5F103AA01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103LL04 ,  5F103LL07 ,  5F103NN01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (14)
  • 特開昭62-124454
  • 特開昭62-124454
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-036363   Applicant：株式会社東芝
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