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J-GLOBAL ID：200903058251392327

エッチング方法、半導体装置及びその製造方法

Inventor：
鐘ヶ江 健司

About 鐘ヶ江 健司

, 
今井 伸一

About 今井 伸一

, 
中川 秀夫

About 中川 秀夫


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000117680
Publication number (International publication number)：2001210627
Application date： Apr. 19, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：
【要約】【課題】 有機無機ハイブリッド膜に対するエッチングレートを向上させる。【解決手段】 SiCxHyOz (x>0、y≧0、z>0)で表される有機無機ハイブリッド膜104を、フッ素、炭素及び窒素を含むエッチングガスを用いてプラズマエッチングする。エッチングガスに含まれる窒素により、有機無機ハイブリッド膜104の表面部から炭素成分が脱離して、該表面部は改質される。改質した表面部はフッ素及び炭素を含むエッチングガスにより良好にプラズマエッチングされる。
Claim (excerpt)：
SiCxHyOz (x>0、y≧0、z>0)で表される有機無機ハイブリッド膜をプラズマエッチングするエッチング方法であって、前記有機無機ハイブリッド膜に対して、該有機無機ハイブリッド膜の表面部から炭素成分を脱離させながらプラズマエッチングを行なうことを特徴とするエッチング方法。
IPC (3)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768
FI (6)：
H01L 21/312 A ,  H01L 21/312 M ,  H01L 21/302 L ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 J ,  H01L 21/90 S
F-Term (67)：
5F004AA03 ,  5F004AA11 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA28 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004EA23 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM13 ,  5F033NN31 ,  5F033NN32 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR00 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033SS01 ,  5F033SS03 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX09 ,  5F033XX24 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD09 ,  5F058AF02 ,  5F058AG04 ,  5F058AG10 ,  5F058BC08 ,  5F058BD09 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF37 ,  5F058BH12 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (8)
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