Pat

J-GLOBAL ID：200903058251392327

エッチング方法、半導体装置及びその製造方法

Inventor： 鐘ヶ江 健司 ,  今井 伸一 ,  中川 秀夫
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000117680
Publication number (International publication number)：2001210627
Application date： Apr. 19, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】 有機無機ハイブリッド膜に対するエッチングレートを向上させる。【解決手段】 SiCxHyOz (x>0、y≧0、z>0)で表される有機無機ハイブリッド膜104を、フッ素、炭素及び窒素を含むエッチングガスを用いてプラズマエッチングする。エッチングガスに含まれる窒素により、有機無機ハイブリッド膜104の表面部から炭素成分が脱離して、該表面部は改質される。改質した表面部はフッ素及び炭素を含むエッチングガスにより良好にプラズマエッチングされる。

Claim (excerpt)：

SiCxHyOz (x>0、y≧0、z>0)で表される有機無機ハイブリッド膜をプラズマエッチングするエッチング方法であって、前記有機無機ハイブリッド膜に対して、該有機無機ハイブリッド膜の表面部から炭素成分を脱離させながらプラズマエッチングを行なうことを特徴とするエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (6)：

H01L 21/312 A ,  H01L 21/312 M ,  H01L 21/302 L ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 J ,  H01L 21/90 S

F-Term (67)：

5F004AA03 ,  5F004AA11 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA28 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004EA23 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM13 ,  5F033NN31 ,  5F033NN32 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR00 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033SS01 ,  5F033SS03 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX09 ,  5F033XX24 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD09 ,  5F058AF02 ,  5F058AG04 ,  5F058AG10 ,  5F058BC08 ,  5F058BD09 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF37 ,  5F058BH12 ,  5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-278232   Applicant：シャープ株式会社
• 積層絶縁膜のプラズマエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-122682   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-184806   Applicant：ソニー株式会社
• レジスト・アッシング方法およびこれに用いるアッシング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-313356   Applicant：ソニー株式会社
• 酸化シリコン系絶縁膜のプラズマエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-062417   Applicant：ソニー株式会社
• エッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-137466   Applicant：三菱電機株式会社
• 電子装置に保護被膜を形成する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-147602   Applicant：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
• 半導体装置のドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-245656   Applicant：沖電気工業株式会社