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J-GLOBAL ID：200903043239569010

III族窒化物半導体発光素子基板

Inventor：
寺嶋 一高

About 寺嶋 一高

, 
西村 鈴香

About 西村 鈴香

, 
宇田川 隆

About 宇田川 隆


Applicant, Patent owner：
昭和電工株式会社

About 昭和電工株式会社


Agent (1)： 矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998180921
Publication number (International publication number)：2000022211
Application date： Jun. 26, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：
【要約】【課題】 立方晶の半導体結晶基板材料との格子の整合性を保持した積層構造体から、発光特性に優れる III族窒化物半導体発光素子を構成する。【解決手段】 導電性半導体基板上に、基板材料と格子整合を果たす第1の緩衝層と、第1の緩衝層の硼素及び窒素組成比を増加させてなる、積層構造体を構成する III族窒化物半導体層と格子整合する第3の緩衝層とを内包する緩衝層を配置した積層構造体から素子を構成する。
Claim (excerpt)：
半導体単結晶基板上の緩衝層を介して成膜された III族窒化物半導体機能層を備えた積層構造体からなる III族窒化物半導体基板であって、半導体単結晶からなる基板上の該単結晶基板と接する領域に、硼素、ガリウムまたはインジウムのうち少なくとも1種を第 III族構成元素として含み、砒素またはリンのうち少なくとも1種を第V族構成元素として含む III-V族化合物半導体混晶からなる第1の緩衝層を有し、基板側から機能層側に向かって第1の緩衝層から第3の緩衝層まで組成変化する組成勾配層を有する第2の緩衝層を介して、 III族窒化物半導体機能層と接する領域に、第 III族構成元素として硼素を含み、第V族構成元素として窒素と砒素またはリンの何れかを含む III族窒化物半導体混晶からなる第3の緩衝層を有する、3層構造の緩衝層を備えた III族窒化物半導体発光素子基板。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/30
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
F-Term (11)：
5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA60 ,  5F041CA77 ,  5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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