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J-GLOBAL ID：200903043323402945

窒化物半導体素子

Inventor： 窪田 傑 ,  向井 孝志 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997187070
Publication number (International publication number)：1999031841
Application date： Jul. 14, 1997
Publication date： Feb. 02, 1999
Summary：

【要約】【目的】 新規な窒化物半導体素子の構造を提供することにより、LED、LDの出力を向上させる。【構成】 活性層4上部にp型不純物を含む第1の窒化物半導体層5が形成され、その第1の窒化物半導体層5上部に、その第1の窒化物半導体層5のp型不純物濃度より少量のp型不純物を含む第2の窒化物半導体層6を備え、その第2の窒化物半導体層6上部に、第1の窒化物半導体層5のp型不純物濃度よりも多量のp型不純物を含む第3の窒化物半導体層7を有する。

Claim (excerpt)：

活性層上部にp型不純物を含む第1の窒化物半導体層が形成され、その第1の窒化物半導体層上部に、その第1の窒化物半導体層のp型不純物濃度より少量のp型不純物を含む第2の窒化物半導体層を備え、その第2の窒化物半導体層上部に、第1の窒化物半導体層のp型不純物濃度よりも多量のp型不純物を含む第3の窒化物半導体層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-305281   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-086083   Applicant：豊田合成株式会社