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J-GLOBAL ID：200903063376057477

窒化物半導体発光素子

Inventor： 長濱 慎一 ,  岩佐 成人 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995305281
Publication number (International publication number)：1997148678
Application date： Nov. 24, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【目的】 窒化物半導体よりなる発光素子の発光出力を高めて半導体レーザを実現することにあり、特に活性層の構造を改良することで高出力な発光素子を実現する。【構成】 Inを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、Inを含む窒化物半導体よりなる障壁層とが積層された多重量子井戸構造の活性層を備えることにより同一温度で活性層を成長でき、活性層の膜質が向上するのでレーザ発振可能となる。

Claim (excerpt)：

Inを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、Inを含む窒化物半導体よりなる障壁層とが積層された多重量子井戸構造の活性層を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 量子井戸型半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-314770   Applicant：旭化成工業株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-272321   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-198336   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体量子井戸光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-250319   Applicant：富士通株式会社
• 3族窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-308251   Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
• 半導体装置および半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-120281   Applicant：三洋電機株式会社