薄膜トランジスタ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005345457
Publication number (International publication number)：2007150157
Application date： Nov. 30, 2005
Publication date： Jun. 14, 2007
Summary：

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの動作に影響を与えずに、透明な酸化物半導体の利点である開口率を高く保つことができる薄膜トランジスタを提供すること。【解決手段】透明な基材上に、酸化物からなる半導体活性層、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極及び前記ゲート電極と前記半導体活性層の間に配置されたゲート絶縁膜を有することを薄膜トランジスタにおいて、少なくとも前記基材の、半導体活性層のバンドギャップエネルギー波長よりも波長が短い光に対する透過率を10%以下とすることにより解決した。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

透明な基材上に、酸化物からなる半導体活性層、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極及び前記ゲート電極と前記半導体活性層の間に配置されたゲート絶縁膜を有することを薄膜トランジスタにおいて、少なくとも前記基材の、半導体活性層のバンドギャップエネルギー波長よりも波長が短い光に対する透過率が10%以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (1)：

H01L 29/786

FI (2)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 626C

F-Term (41)：

5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD06 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF05 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110NN73

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-266012 Applicant：科学技術振興事業団, 太田裕道
酸化物透明導電膜の成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-355781 Applicant：北海道電力株式会社

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