薄膜トランジスタアレイの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：清水守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993332070
Publication number (International publication number)：1995191347
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】フロン規制ガスを使用ぜすに、ソース・ドレイン電極の加工後の下地膜であるゲート絶縁用シリコン窒化膜の表面を平滑にエッチングすることにより、歩留まりの良い薄膜トランジスタアレイの製造方法を提供する。【構成】絶縁性透明基板21上にゲート電極22を形成した後、該ゲート電極22のゲート絶縁用シリコン窒化膜23を形成し、該ゲート絶縁用シリコン窒化膜23上にn- アモルファスシリコン膜24を介してブロッキング層25を形成する工程と、n+ アモルファスシリコン膜26とCr膜27を成膜する工程と、該Cr膜27を塩素とヘリウムの混合ガスを用いたドライエッチングで加工し、上層ソース・ドレイン電極27a,27bを形成する工程と、前記n+ アモルファスシリコン膜26及びn- アモルファスシリコン膜24を塩素とヘリウムの混合ガスを用いたドライエッチングで加工し、ソース・ドレインコンタクト層を形成する工程とを順次施すようにしたものである。

Claim (excerpt)：

互いに交差させて配置した複数のアドレス配線と複数のデータ配線の各交差部に、薄膜トランジスタと該薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電極との何れか一方に接続された表示電極とがマトリックス状に複数配列され、前記薄膜トランジスタのゲート電極に前記アドレス配線が、ソース電極とドレイン電極の他方にデータ配線が夫々接続された薄膜トランジスタアレイの製造方法において、(a)絶縁性透明基板上にゲート電極を形成した後、該ゲート電極のゲート絶縁用シリコン窒化膜を形成し、該ゲート絶縁用シリコン窒化膜上に不純物を含まないn- アモルファスシリコン膜からなる半導体膜を形成し、この半導体膜を介してブロッキング層を形成する工程と、(b)この基板上にn+ アモルファスシリコン膜とCr膜を成膜する工程と、(c)該Cr膜をフッ素が含有されない非フロン系のガスを用いたドライエッチングによりパターニングし、ソース・ドレイン電極を形成する工程と、(d)前記n+ アモルファスシリコン膜及びn- アモルファスシリコン膜をフッ素が含有されない非フロン系のガスを用いたドライエッチングによりパターニングし、半導体の素子領域を形成すると共に、前記ソース・ドレイン電極を電気的に分離する工程とを備えたことを特徴とする薄膜トランジスタアレイの製造方法。

IPC (2)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/786

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

薄膜トランジスタ・マトリクス及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-223229 Applicant：富士通株式会社
特開平4-019618
傾斜機能材料薄膜及び薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-347180 Applicant：松下電器産業株式会社

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