半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体及び半導体装置の製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：小島清路
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999009904
Publication number (International publication number)：2000204353
Application date： Jan. 18, 1999
Publication date： Jul. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】十分な研磨速度が得られ、且つ被研磨面に傷が付くことがない半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体、及びこの水系分散体によって被加工膜を研磨し、半導体装置を製造する方法を提供する。【解決手段】各種の熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂からなる重合体粒子と、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア等からなる無機粒子とを含有し、重合体粒子の平均粒子径が無機粒子の平均粒子径以下である半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体を得る。また、無機粒子の平均粒子径が0.1〜1.0μmであり、且つ重合体粒子の平均粒子径より小さい水系分散体を得る。更に、これらの水系分散体を研磨剤として用い、超LSI等の半導体装置の基板上に設けられるシリコン酸化膜、アルミニウム膜等の被加工膜を研磨し、半導体装置を製造する。

Claim (excerpt)：

重合体粒子及び無機粒子を含有し、該重合体粒子の平均粒子径が該無機粒子の平均粒子径以下であることを特徴とする、半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体。

IPC (6)：

C09K 3/14 550 , C09K 3/14 , B24B 1/00 , B24B 37/00 , C08J 5/14 , H01L 21/304 622

FI (6)：

C09K 3/14 550 C , C09K 3/14 550 D , B24B 1/00 A , B24B 37/00 H , C08J 5/14 , H01L 21/304 622 D

F-Term (28)：

3C049AA07 , 3C049AC04 , 3C049CB01 , 3C049CB03 , 3C058AA07 , 3C058AC04 , 3C058DA02 , 4F071AA15 , 4F071AA20 , 4F071AA21 , 4F071AA22 , 4F071AA22X , 4F071AA24 , 4F071AA33 , 4F071AA33X , 4F071AA40 , 4F071AA43 , 4F071AA50 , 4F071AA51 , 4F071AA54 , 4F071AA60 , 4F071AB01 , 4F071AB18 , 4F071AB26 , 4F071AD02 , 4F071AE13 , 4F071AH19 , 4F071DA18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平1-297487
研磨材組成物及びこれを用いた基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-261648 Applicant：花王株式会社
平坦化のための研磨工程およびスラリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-315093 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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