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J-GLOBAL ID：200903043443024855

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 西井 勝則 ,  井上 薫 ,  松野 年伸 ,  池田 義人 ,  正戸 宏幸
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001388865
Publication number (International publication number)：2002329863
Application date： Dec. 21, 2001
Publication date： Nov. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 窒化物半導体からなり、ゲート電極を有する半導体装置の電流駆動能力を高めることができるようにする。【解決手段】 炭化ケイ素からなる基板11上には、バッファ層12と、窒化ガリウムからなりその上部に2次元電子ガス層が形成されるチャネル層13と、n型の窒化アルミニウムガリウムからなりチャネル層13にキャリアを供給するキャリア供給層14とが順次形成されている。素子分離膜15に囲まれた素子形成領域には、キャリア供給層14の上に成長した窒化ガリウムからなる半導体層が酸化された絶縁酸化層16Bが選択的に形成され、絶縁酸化層16B上には、ゲート電極17が形成されている。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層の上に形成された第2の窒化物半導体層が酸化されてなる絶縁酸化層と、前記絶縁酸化層の上に形成されたゲート電極とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (2)：

H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/80 H

F-Term (47)：

5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR09 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21 ,  5F140AA01 ,  5F140AA25 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BB15 ,  5F140BB18 ,  5F140BC11 ,  5F140BC12 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD18 ,  5F140BE01 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE14 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF15 ,  5F140BF21 ,  5F140BF25 ,  5F140BG27 ,  5F140BG38 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK29 ,  5F140CB01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 窒化物系III-V族化合物半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-008201   Applicant：シャープ株式会社
• 特開昭55-138238
  
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-056788   Applicant：ソニー株式会社
• 化合物半導体の選択エッチング方法、窒化物系化合物半導体の選択エッチング方法、半導体装置および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-332466   Applicant：ソニー株式会社