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J-GLOBAL ID：200903044872621817

化合物半導体の選択エッチング方法、窒化物系化合物半導体の選択エッチング方法、半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor：
河合 弘治

About 河合 弘治


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998332466
Publication number (International publication number)：2000164926
Application date： Nov. 24, 1998
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：
【要約】【課題】 Alを含まない窒化物系化合物半導体を、下地に対してほぼ完全に選択的にエッチングすることができ、しかもエッチングの際に損傷を伴わない窒化物系化合物半導体の選択エッチング方法、この方法を用いて製造される半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 Cl2 ガスなどのハロゲンガスおよびHClガスなどのハロゲン化合物ガスのうちの少なくとも一方からなる第1のガスとH2 ガスおよびN2ガスなどの不活性ガスのうちの少なくとも一方からなる第2のガスとO2 ガスなどの酸化性ガスとの混合ガスからなるエッチングガスを用い、Alを含む窒化物系化合物半導体を下地層としてAlを含まない窒化物系化合物半導体を気相で熱化学的にエッチングする。
Claim (excerpt)：
ハロゲンガスおよびハロゲン化合物ガスのうちの少なくとも一方からなる第1のガスと水素ガスおよび不活性ガスのうちの少なくとも一方からなる第2のガスと酸化性ガスとの混合ガスからなるエッチングガスを用い、アルミニウムを含む化合物半導体を下地層としてアルミニウムを含まない化合物半導体を選択的に熱化学的にエッチングするようにしたことを特徴とする化合物半導体の選択エッチング方法。
IPC (7)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/306 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01S 5/323
FI (5)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18 673 ,  H01L 21/302 P ,  H01L 29/80 H
F-Term (59)：
5F004BA19 ,  5F004BB26 ,  5F004CA04 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA29 ,  5F004DB19 ,  5F004EA06 ,  5F004EA12 ,  5F004EA23 ,  5F004EA27 ,  5F004EA34 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA99 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045AD11 ,  5F045AD13 ,  5F045AF09 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045HA13 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA25 ,  5F073DA26 ,  5F073DA35 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GQ03 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR09 ,  5F102GR10 ,  5F102GT04 ,  5F102HC01 ,  5F102HC16 ,  5F102HC21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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