半導体装置の作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993204774
Publication number (International publication number)：1995045518
Application date： Jul. 27, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】特性の優れた結晶性珪素膜を得る。【構成】熱アニールによって結晶化したシリコン膜をパターニングした後、強光照射によって、短時間のアニールをおこなう。特に、熱アニールにおける結晶化工程は、ニッケル等の結晶化を促進させる元素を混入することによっておこなう。強光の照射によって熱アニールで結晶化しなかった部分も結晶化され、緻密なシリコン膜が形成される。

Claim (excerpt)：

基板上に非単結晶珪素膜を形成する第1の工程と、前記非単結晶珪素膜を加熱アニールによって結晶化させる第2の工程と、前記非単結晶珪素膜を島状にパターニングする第3の工程と、該工程にひき続いて近赤外から可視光、好ましくは波長4μm〜0.5μmの強光の照射によって結晶化を助長させる第4の工程と、を有する半導体装置の作製方法。

IPC (6)：

H01L 21/20 , H01L 21/26 , H01L 21/268 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 21/26 L , H01L 29/78 311 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

多結晶半導体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-268469 Applicant：ソニー株式会社
特開昭61-099347
特開昭62-181419

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