液浸露光プロセス用レジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：酒井宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003352266
Publication number (International publication number)：2005099646
Application date： Oct. 10, 2003
Publication date： Apr. 14, 2005
Summary：

【課題】新たなリソグラフィー技術である液浸露光プロセスに用いて好適なF2レジスト組成物と、このF2レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法とを提供する。【解決手段】(A)(i)フッ素原子またはフッ素化アルキル基および(ii)アルコール性水酸基を共に有する脂肪族環式基を含むアルカリ可溶性の構成単位(a1)を含んでなる、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する重合体および(B)光照射により酸を発生する酸発生剤を含有させてなる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

液体を介してレジスト膜を露光する液浸露光プロセスに用いる液浸露光プロセス用レジスト組成物であって、該レジスト組成物を用いて形成した塗膜を露光後又は未露光のままフッ素系の液体に浸漬し、次いで該浸漬状態で水晶振動子法により該塗膜の膜厚の変化を測定したとき、露光後塗膜と未露光塗膜の両方において、測定開始から10秒間以内の最大の膜厚増加量が3.0nm以下であることを特徴とする液浸露光プロセス用レジスト組成物。

IPC (5)：

G03F7/039 , G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027

FI (5)：

G03F7/039 601 , G03F7/004 501 , G03F7/11 501 , G03F7/26 , H01L21/30 502R

F-Term (18)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC03 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025BJ10 , 2H025CB08 , 2H025CB41 , 2H025CB42 , 2H025CB45 , 2H025CC20 , 2H025DA01 , 2H096AA25 , 2H096BA09 , 2H096EA11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

国際公開第WO 00/67072号パンフレット
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-190647 Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
レジスト組成物
Gazette classification：再公表公報 Application number：JP2002000794 Applicant：旭硝子株式会社

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