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J-GLOBAL ID：200903043647598940

窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法

Inventor： 狩野 隆司 ,  野村 康彦 ,  國里 竜也 ,  大保 広樹
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 宮園 博一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001206301
Publication number (International publication number)：2003022973
Application date： Jul. 06, 2001
Publication date： Jan. 24, 2003
Summary：

【要約】【課題】窒化物系半導体層の平坦性および結晶性を向上させることが可能な窒化物系半導体の形成方法を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体の形成方法は、Si基板1の上面を加工することによって、Si基板1の上面に、Siからなる複数の円柱状部1aを形成する工程と、その複数の円柱状部1a上に、n型GaN層5を成長させる工程とを備えている。

Claim (excerpt)：

基板の上面を加工することによって、前記基板の上面に、複数の島状部を形成する工程と、前記複数の島状部上に、窒化物系半導体層を成長させる工程とを備えた、窒化物系半導体の形成方法。

F-Term (23)：

5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045BB19 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045EB13 ,  5F045EB15 ,  5F045HA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-289870   Applicant：豊田合成株式会社
• 窒化物系半導体層の形成方法、窒化物系半導体、窒化物系半導体素子の製造方法および窒化物系半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-269197   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体基材及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-335591   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 半導体基板の製造方法及び半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-098870   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所