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J-GLOBAL ID：200903043648967108

半導体装置の製造方法

Inventor： 轟原 ひろみ ,  三浦 英生 ,  西村 朝雄 ,  安藤 則夫 ,  藤井 裕二 ,  藤田 昌洋 ,  小林 芳久
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995059360
Publication number (International publication number)：1996255769
Application date： Mar. 17, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】 シリコンウエハとニッケルのシリサイド反応が阻害されることなく、安定なニッケルシリサイドを形成し、電極との間の機械的および電気的接続が良好である半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 シリコンウエハ70の裏面に、ウエハ温度を100°C〜300°Cの範囲の所定温度でニッケル膜33aを堆積した後、ニッケル膜33aが形成されたシリコンウエハ70に加熱処理を行い、ニッケルシリサイド層33を形成する。【効果】 シリコンウエハ裏面に緻密なニッケル膜を形成することができるため、加熱処理によってニッケルシリサイドを形成する際、シリサイド反応が阻害されることがなく、接着性のよいニッケルシリサイドを形成することができる。このため電極との間の機械的および電気的接続が良好になる。

Claim (excerpt)：

シリコンウエハに接してニッケル膜を堆積する工程と、前記ニッケル膜と前記シリコンウエハとを加熱処理により反応させて、ニッケルシリサイド層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記ニッケル膜を堆積するときのシリコンウエハ温度が、100°Cないし300°Cであることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 14/16 ,  H01L 21/203

FI (6)：

H01L 21/285 301 S ,  H01L 21/285 P ,  H01L 21/285 B ,  H01L 21/285 S ,  C23C 14/16 Z ,  H01L 21/203 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-059628   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-180968   Applicant：株式会社東芝