半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：高山宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005333958
Publication number (International publication number)：2007142153
Application date： Nov. 18, 2005
Publication date： Jun. 07, 2007
Summary：

【課題】高精度でメタルゲート電極の仕事関数を制御することができる、メタルゲート電極を用いたMOS型の半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体基板10と、半導体基板10の主面に絶縁膜16を介して形成されたメタルゲート電極25と、主面にメタルゲート電極を挟んでそれぞれ形成されたソース電極33およびドレイン電極34とを有するMOS型の半導体装置において、メタルゲート電極25は、金属窒化物膜17とその金属窒化物の金属と同じ金属からなる金属膜18との2層構造を形成した後に金属窒化物膜17の窒素を金属膜に固相拡散させることにより形成される。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板の主面に絶縁膜を介して形成されたメタルゲート電極と、前記主面に前記メタルゲート電極を挟んでそれぞれ形成されたソース電極およびドレイン電極とを有するMOS型の半導体装置であって、前記メタルゲート電極は、金属窒化物膜と前記金属窒化物の金属と同じ金属からなる金属膜との2層構造を形成した後に前記金属窒化物膜の窒素を金属膜に固相拡散させることにより形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (4)：

H01L29/78 301G , H01L27/08 321D , H01L21/28 301R , H01L29/58 G

F-Term (56)：

4M104AA01 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104CC05 , 4M104DD66 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104HH20 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB04 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB13 , 5F048BB15 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048DA27 , 5F140AA06 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BF01 , 5F140BF10 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF27 , 5F140BF32 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG33 , 5F140BG38 , 5F140BG44 , 5F140BH14 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CB01 , 5F140CB08 , 5F140CF00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

MOS型半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-311387 Applicant：株式会社半導体理工学研究センター

Cited by examiner (1)

トランジスタ作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-049739 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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