半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999069529
Publication number (International publication number)：2000269504
Application date： Mar. 16, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体チャネル領域がパターン化された薄膜トランジスタを提供すること。【解決手段】ガラス基板101上にゲート電極102,ゲート絶縁膜103,ソース電極104,ドレイン電極105を形成する。その上にパターン化絶縁膜を形成し、ゲート電極上の領域110を除去する。その上に、有機半導体膜を蒸着する。パターン化絶縁膜の除去した領域110内に形成された有機半導体膜107はチャネル領域となり、パターン化絶縁膜106上の有機半導体膜108と分離され、有機半導体チャネル領域がゲート電極と同等のサイズにパターン化されたことになる。【効果】本発明を用いれば、半導体チャネル領域がパターン化された薄膜トランジスタが可能となる。

Claim (excerpt)：

基板,ゲート電極,ゲート絶縁層,ソース電極,ドレイン電極、及び半導体層からなる半導体装置において、チャネル領域以外において前記ゲート絶縁層と前記半導体層の間にパターン化絶縁層を少なくとも有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/786 , G02F 1/1365 , H01L 51/00 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 29/78 618 B , G02F 1/136 500 , H01L 29/28 , H01L 29/78 627 C

F-Term (59)：

2H092JA26 , 2H092JA31 , 2H092JA32 , 2H092JA33 , 2H092JA35 , 2H092JA39 , 2H092JA43 , 2H092JB27 , 2H092JB56 , 2H092JB57 , 2H092KA09 , 2H092KA12 , 2H092KA13 , 2H092KA18 , 2H092KA19 , 2H092KA20 , 2H092KB05 , 2H092KB24 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA08 , 2H092MA10 , 2H092MA15 , 2H092MA19 , 2H092MA27 , 2H092MA37 , 2H092NA22 , 2H092NA27 , 5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE06 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK02 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN80 , 5F110QQ01 , 5F110QQ04 , 5F110QQ08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-151971 Applicant：三洋電機株式会社
特開平4-206934
集積無機/有機相補型薄膜トランジスタ回路およびその製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-555282 Applicant：シンフイルムエレクトロニクスエイエスエイ

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