Pat
J-GLOBAL ID:200903043662362731

半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小川 勝男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999069529
Publication number (International publication number):2000269504
Application date: Mar. 16, 1999
Publication date: Sep. 29, 2000
Summary:
【要約】【課題】半導体チャネル領域がパターン化された薄膜トランジスタを提供すること。【解決手段】ガラス基板101上にゲート電極102,ゲート絶縁膜103,ソース電極104,ドレイン電極105を形成する。その上にパターン化絶縁膜を形成し、ゲート電極上の領域110を除去する。その上に、有機半導体膜を蒸着する。パターン化絶縁膜の除去した領域110内に形成された有機半導体膜107はチャネル領域となり、パターン化絶縁膜106上の有機半導体膜108と分離され、有機半導体チャネル領域がゲート電極と同等のサイズにパターン化されたことになる。【効果】本発明を用いれば、半導体チャネル領域がパターン化された薄膜トランジスタが可能となる。
Claim (excerpt):
基板,ゲート電極,ゲート絶縁層,ソース電極,ドレイン電極、及び半導体層からなる半導体装置において、チャネル領域以外において前記ゲート絶縁層と前記半導体層の間にパターン化絶縁層を少なくとも有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4):
H01L 29/786 ,  G02F 1/1365 ,  H01L 51/00 ,  H01L 21/336
FI (4):
H01L 29/78 618 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 627 C
F-Term (59):
2H092JA26 ,  2H092JA31 ,  2H092JA32 ,  2H092JA33 ,  2H092JA35 ,  2H092JA39 ,  2H092JA43 ,  2H092JB27 ,  2H092JB56 ,  2H092JB57 ,  2H092KA09 ,  2H092KA12 ,  2H092KA13 ,  2H092KA18 ,  2H092KA19 ,  2H092KA20 ,  2H092KB05 ,  2H092KB24 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA10 ,  2H092MA15 ,  2H092MA19 ,  2H092MA27 ,  2H092MA37 ,  2H092NA22 ,  2H092NA27 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN80 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page