窒化物半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996181573
Publication number (International publication number)：1997331116
Application date： Jun. 21, 1996
Publication date： Dec. 22, 1997
Summary：

【要約】【目的】窒化物半導体を用いた発光素子の出力をさらに高める。【構成】量子構造の窒化物半導体よりなる活性層を発光層として備える窒化物半導体発光素子において、活性層表面に凹凸を設けることにより、活性層とクラッド層との界面で縦横両方向にキャリアが閉じ込められ量子箱効果が発生し、それにより発光素子の発光スペクトル中に、複数の発光ピークが出現して、結果として発光出力が向上する。

Claim (excerpt)：

少なくともインジウムを含む量子井戸構造の窒化物半導体よりなる井戸層を有する活性層を備える窒化物半導体発光素子において、その発光素子の発光スペクトル中には、等間隔でない複数の発光ピークを有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-079045 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-310533 Applicant：日亜化学工業株式会社
3族窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-113484 Applicant：豊田合成株式会社

Cited by examiner (1)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-079045 Applicant：日亜化学工業株式会社

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