半導体記憶装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993349524
Publication number (International publication number)：1995201174
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】この発明は、製品仕様を変更しても負荷回路を最適な電流駆動能力で駆動できる昇圧電位発生回路を備えた半導体記憶装置を提供することを目的としている。【構成】昇圧電位発生回路13で、外部印加電圧より高い昇圧電位φ3を定常的に発生させ、この昇圧電位φ3を負荷回路15に電源として供給する。昇圧電位制御回路11で昇圧電位φ3をモニタし、電流能力制御回路12で昇圧電位制御回路11の出力信号φ1Aと製品仕様を決定する信号φ4とに基づいて生成した制御信号φ2Aを昇圧電位発生回路13に供給し、負荷回路15の負荷が大きい時には昇圧電位発生回路13の電流供給能力を大きく、小さい時には電流供給能力を小さくするように制御することにより、製品仕様を変更しても負荷回路15を最適な電流駆動能力で駆動できるように構成したことを特徴としている。

Claim (excerpt)：

外部印加電圧より高い昇圧電位を定常的に発生させる昇圧電位発生手段と、この昇圧電位発生手段の出力電位が電源として供給され、ワード線を駆動するワード線駆動手段と、製品仕様を決定する信号を受け、この決定信号に基づいて生成した制御信号を上記昇圧電位発生手段に供給し、上記ワード線駆動手段で同時に駆動されるワード線が多い場合には上記昇圧電位発生手段の電流供給能力を大きくし、同時に駆動されるワード線が少ない場合には上記昇圧電位発生手段の電流供給能力を小さくする制御手段とを具備することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (6)：

G11C 11/407 , G11C 11/413 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8242 , H01L 27/108

FI (5)：

G11C 11/34 354 E , G11C 11/34 335 , H01L 27/04 B , H01L 27/04 G , H01L 27/10 325

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-251607 Applicant：三菱電機株式会社
半導体集積回路装置およびチップ選別方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-221694 Applicant：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
電圧発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-352867 Applicant：日鉄セミコンダクター株式会社, ユナイテッドメモリーズインコーポレイテッド

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