半導体チップパッケ-ジ及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：笹島富二雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999164047
Publication number (International publication number)：2000058713
Application date： Jun. 10, 1999
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】ウェーハ段階から半導体チップ及び半導体パッケージ形成段階までを一連の工程に処理して半導体パッケージの製造時間を短縮させ、原価を節減し得る半導体チップパッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】上面に複数のパッド21を有する半導体チップ20を半導体ウェーハ上に形成し、パッド21を除いた半導体ウェーハの上面にシリコンのような低弾性係数材料層22をスピンコーティング法又はスパッタリング法を施して形成し、パッド21及び前記低弾性係数材料層22の上面に金属薄膜蒸着及びフォトリソグラフィ工程を施して金属パターン23を形成し、金属パターン23及び低弾性係数材料層22の上面に高弾性係数材料層24を形成し、金属パターン23の上面の一部を露出させ、露出された金属パターンの上面に導電性ボール27を接着して半導体チップパッケージを製造する。

Claim (excerpt)：

上面の所定部位に複数のパッドを有して形成された半導体チップと、前記パッドを除いた前記半導体チップ上に形成された、小さい弾性係数を有する低弾性係数材料層と、少なくとも1つの前記パッドと連結され、前記低弾性係数材料層上に形成された複数の金属パターンと、前記露出された金属パターンの上面に接着された電気的媒介体と、を備えて構成されたことを特徴とする半導体チップパッケージ。

IPC (5)：

H01L 23/12 , H01L 21/60 311 , H01L 21/60 , H01L 23/14 , C08L 79/08

FI (5)：

H01L 23/12 L , H01L 21/60 311 S , C08L 79/08 Z , H01L 21/92 602 L , H01L 23/14 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平1-209746
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-259861 Applicant：新光電気工業株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-082347 Applicant：株式会社日立製作所

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