シリコン単結晶ウエーハおよびシリコン単結晶ウエーハの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998170629
Publication number (International publication number)：1999349393
Application date： Jun. 03, 1998
Publication date： Dec. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】 CZ法によって作製されるシリコン単結晶ウエーハにおいて、結晶欠陥の形成を抑制したデバイス用シリコン単結晶ウエーハを高生産性で得る。【解決手段】 CZ法により窒素ドープされたシリコン単結晶棒をウエーハ加工して得られたシリコン単結晶ウエーハで、該シリコン単結晶ウエーハのGrown-in欠陥のサイズが70nm以下であるシリコン単結晶ウエーハ。CZ法により窒素ドープされたシリコン単結晶棒をウエーハ加工して得られたシリコン単結晶ウエーハで、該単結晶棒は1150〜1080°Cにおける冷却速度を2.3°C/min 以上に制御されて育成された単結晶棒であるシリコン単結晶ウエーハ。CZ法により窒素ドープしたシリコン単結晶棒を、該単結晶棒の1150〜1080°Cにおける冷却速度を2.3°C/min 以上に制御しつつ育成した後、該単結晶棒をウエーハ加工してシリコン単結晶ウエーハを製造するシリコン単結晶ウエーハの製造方法。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法により窒素をドープされたシリコン単結晶棒をウエーハに加工して得られたシリコン単結晶ウエーハであって、該シリコン単結晶ウエーハのGrown-in欠陥のサイズが70nm以下であることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。

IPC (3)：

C30B 15/04 , G05D 23/19 , H01L 21/66

FI (3)：

C30B 15/04 , G05D 23/19 J , H01L 21/66 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-201762 Applicant：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
シリコン単結晶とその熱処理方法およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-188543 Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
シリコン単結晶の熱処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-188540 Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社

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